碳化硅半导体材料的粉碎工艺及精度

碳化硅半导体材料的粉碎工艺及精度如下：

机械粉碎

- 颚式破碎机粗碎：利用两颚板对物料的挤压和弯曲作用，将大块碳化硅原料破碎成较小颗粒，此阶段精度较低，颗粒粒度一般在数厘米至十几厘米。

- 圆锥破碎机中碎：通过轧臼壁向破碎壁运动挤压物料，使颗粒进一步变小，产品粒度可达到毫米级，精度有所提高，但仍较粗。

- 雷蒙磨粉机细磨：磨辊在离心力作用下紧压磨环，物料受碾压、研磨而粉碎，可将碳化硅磨至80-325目之间的细度，精度较高，能满足一些普通应用的需求.

气流粉碎

- 压缩空气或惰性气体经拉瓦尔喷嘴加速成超音速气流，带动碳化硅颗粒相互碰撞、摩擦而粉碎，产品粒度D97可在3-74微米之间任意调节，精度高，粒度分布窄且无大颗粒，能满足半导体行业对高精度碳化硅粉末的要求.

研磨抛光

- 粗磨：采用碳化硼或金刚石粉等硬度相当的磨料，去除切割等加工过程中产生的刀痕、损伤层和形变，使碳化硅晶片表面初步平整.

- 精磨：使用更细的磨料和更精密的研磨设备，进一步提高表面平整度和光洁度，精度可达到微米甚至纳米级.

- 抛光：通过化学机械抛光等工艺，搭配抛光垫和研磨液，使碳化硅晶片表面达到极高的光洁度和精度，粗糙度可控制在纳米级，满足半导体器件制造的高精度要求.

                                                                                                                     沈阳佳美机械-杨晓波18540392393